供应*ROHM 2*1186AE

地区:广东 深圳
认证:

深圳市东柏森电子有限公司

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晶体管类型 PNP
电流 - 集电* (Ic)(*大值) 1.5A
电压 - 集射*击穿(*大值) 160V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(*大值) 2V @ 100mA,1A
电流 - 集电*截止(*大值) -
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(*小值) 60 @ 1A,5V
功率 - *大值 2W
频率 - 跃迁 50MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
型号/规格

2*1186AE

品牌/商标

ROHM

封装形式

TO220F

*类别

无铅*型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

*率