mosfet生产,工厂生产mosfet管

　　惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH）成立于2003 年，*从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

　　MOSFET的参数介绍

Parameter	Symbol	Limit	Unit
Drain-Source Voltage	VDS	-55	V
Gate-Source Voltage	VGS	±20	V
Drain Current-Continuous	ID	-30	A
Drain Current-Continuous(TC=100℃)	ID (100℃)	-21	A
Pulsed Drain Current	IDM	110	A
Maximum Power Dissipation	PD	90	W
Derating factor		0.72	W/℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)	EAS	420	mJ

Parameter	Symbol	Condition	Min	T*	Max	Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage	BVDSS	VGS=0V ID=-250μA	-55	-	-	V
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=-55V,VGS=0V	-	-	1	μA
Gate-Body Leakage Current	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V	-	-	±100	nA
On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=-250μA	-2	-3	-4	V
Drain-Source On-State Resistance	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-15A	-	30	40	mΩ
Forward Transconductance	gFS	VDS=-25V,ID=-16A	8	-	-	S
Dynamic Characteristics (Note4)

　　MOSFET的介绍
　　金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的*性不同，可分为n-t*e与p-t*e的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

型号/规格

FNK5530PK

品牌/商标

FNK

封装形式

TO-252

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装