mosfet厂商,性能与*性*同行

　　乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与*性*同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。

　　MOSFET的参数介绍

Parameter	Symbol	Limit	Unit
Drain-Source Voltage	VDS	-55	V
Gate-Source Voltage	VGS	±20	V
Drain Current-Continuous	ID	-30	A
Drain Current-Continuous(TC=100℃)	ID (100℃)	-21	A
Pulsed Drain Current	IDM	110	A
Maximum Power Dissipation	PD	90	W
Derating factor		0.72	W/℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)	EAS	420	mJ

Parameter	Symbol	Condition	Min	T*	Max	Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage	BVDSS	VGS=0V ID=-250μA	-55	-	-	V
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=-55V,VGS=0V	-	-	1	μA
Gate-Body Leakage Current	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V	-	-	±100	nA
On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=-250μA	-2	-3	-4	V
Drain-Source On-State Resistance	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-15A	-	30	40	mΩ
Forward Transconductance	gFS	VDS=-25V,ID=-16A	8	-	-	S
Dynamic Characteristics (Note4)

　　MOSFET的应用优势
　　MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla*次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是*型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性*过BJT.
　　由于MOSFET元件的性能逐渐*，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现。

型号/规格

FNK5530PK

品牌/商标

FNK

封装形式

TO-252

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装