mosfet报价，厂家批发mosfet管|*缘栅*场效晶体管

　　乾野电子是中国*家研发成功并上量销售650V *结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户**具价值的功率半导体器件与服务供应商。

 

　　场效应管的主要参数
　　Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中，栅*电压UGS=0时的漏源电流。
　　Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅*电压。
　　Ut - 开启电压。是指增强型*缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅*电压。
　　gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏*电流ID的控制能力，即漏*电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
　　BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS*时，场效应管正常工作所能承受的*大漏源电压。这是一项*限参数，加在场效应管上的工作电压*须小于BVDS.
　　PDSM - *大耗散功率，也是一项*限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的*大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有*余量。
　　IDSM - *大漏源电流。是一项*限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的*大电流。场效应管的工作电流不应*过IDSM

 

　　MOSFET在概念上属于"*缘栅*场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅**缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅*的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.