供应：IR:原装：IRFB4110PBF【优势代理】

IRFB4110PBF

•  场效应管MOSFET N 100V TO-220AB
•  晶体管*性: N沟道
•  电流, Id连续: 180A
•  电压, Vds*大: 100V
•  在???阻RDS（上）: 4.5mohm
•  电压@ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
•  功耗, Pd: 370W
•  工作温度范围: -55°C到 175°C
•  封装类型: TO-220AB
•  针脚数: 3
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
•  功率, Pd: 370W
•  功耗: 370mW
•  器件标号: 4110
•  封装类型: TO-220AB
•  栅*电荷Qg N沟道: 150nC
•  漏*电流, Id*大值: 180A
•  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
•  电压, Vds典型值: 100V
•  电压, Vgs*高: 4V
•  电流, Idm脉冲: 670A
•  表面安装器件: Through Hole
•  阈值电压, Vgs th: 2V
•  阈值电压, Vgs th*高: 4V