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供应 IR牌子场效应管IRF530NS 原装

地区：广东深圳

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场效应???MOSFET N D2-PAK 100V 17A
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 17A
电压, Vds*大: 100V
在电阻RDS（上）: 110mohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 4V
功耗, Pd: 79W
工作温度敏: -55°C
工作温度*高: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: IRF530NS
功率, Pd: 79W
功耗: 79W
功耗(于1平方英寸PCB): 3.8W
封装类型: D2-PAK
封装类型,其它: D2-PAK
工作温度范围: -55°C到 175°C
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏*电流, Id*大值: 17A
热阻,结点至外壳A: 1.9°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds: 100V
电压, Vds典型值: 100V
电压, Vgs*高: 4V
电流, Idm脉冲: 60A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th*高: 4V

材料

GE-N-FET锗N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRF530NS

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

L/功率放大

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

在电阻RDS（上）

110mohm

功耗

79W

工作温度

-55°C 到 +175°C