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供应 FAIRCHILD牌子场效应管FQP18N50V2 【原装】

地区：广东深圳

认证：无

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场效应管MOSFET N TO-220
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 18A
电压, Vds*大: 500V
在电阻RDS（上）: 225mohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 5V
功耗, Pd: 208W
工作温度敏: -55°C
工作温度*高: 150°C
封装类型: TO-220
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功率, Pd: 208W
功耗: 208W
外宽: 10.67mm
外*度/高度: 4.83mm
封装类型: TO-220
工作温度范围: -55°C到 150°C
晶体管数: 1
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏*电流, Id*大值: 18A
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 500V
电压, Vgs*高: 30V
电流, Idm脉冲: 72A
表面安装器件: Through Hole
通态电阻, Rds on*大: 265mohm
阈值电压, Vgs th*高: 5V

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

FQP18N50V2

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

用途

MOS-HBM/半桥组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

晶体管*性

N沟道

功耗

208W

工作温度范围

-55°C 到 +150°C