产品详情

现货供应SI4800BDY-T1-E3 MOS管/场效应管/IGBT 原装

地区：广东 深圳
认证： 无

吴锡平

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制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息 
晶体管*性:N-Channel
汲*/源*击穿电压:30 V
闸/源击穿电压: /- 25 V
漏*连续电流:6.5 A
电阻汲*/源* RDS（导通）:18.5 mOhms
配置:Single
*大工作温度: 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
封装:Reel
下降时间:12 ns 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:1.3 W 
上升时间:12 ns 
工厂包装数量:2500 
典型关闭延迟时间:32 ns 
*件号别名:SI4800BDY-E3
"
型号/规格

SI4800BDY-T1-E3

品牌/商标

Vishay/威世通

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

原装

原装

封装/规格

SOP-8

MOS管/场效应管/IG

N沟道 30V 9A