现货供应IRFBC30PBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

地区:广东 深圳
认证:

吴锡平

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制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息 
晶体管*性:N-Channel
汲*/源*击穿电压:600 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流:3.6 A
电阻汲*/源* RDS(导通):2.2 Ohms
配置:Single
*大工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:14 ns 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:74 W 
上升时间:13 ns 
工厂包装数量:1000 
典型关闭延迟时间:35 ns
材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRFBC30PBF

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

Vishay/威世通

用途

SW-REG/开关电源

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

原装

原装

封装/规格

TO-220