现货供应2SK4107FT/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

地区:广东 深圳
认证:

吴锡平

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标准包装50
类别分立半导体产品
FET - 单
系列-
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)15A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)400 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2450pF @ 25V
功率 - *大值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-*-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-*(N)
包装散装

"
材料

GE-N-FET锗N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

2SK4107FT

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

用途

SW-REG/开关电源

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

原装

原装

封装/规格

TO-*