TOSHIBA东芝*原装MOS场效应管 2SK3561 K3561 现货

地区:广东 深圳
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TOSHIBA东芝*原装正品MOS场效应管 2SK3561  K3561

 

TOSHIBA东芝*原装正品MOS场效应管 2SK3561  K3561

 

2SK3561  K3561产品规格 参数

 

数据列表 2SK3561
Mosfets Prod Guide
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 500V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 8A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1050pF @ 25V
 
功率 - *大 40W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220SIS
 
包装 管件
 

 

"
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK3561 K3561

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)