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TOSHIBA东芝*原装正品MOS场效应管 2SK3561 K3561
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2SK3561 K3561产品规格 参数
数据列表 2SK3561
Mosfets Prod Guide
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 8A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1050pF @ 25V
功率 - *大 40W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220SIS
包装 管件
"
TOSHIBA/东芝
2SK3561 K3561
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)