IR场效应管 *原装 IRF3415PBF IRF3415*

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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IR场效应管 *原装  IRF3415PBF  IRF3415

 

IR场效应管 *原装  IRF3415PBF  IRF3415

 

 

 

IRF3415PBF  IRF3415产品规格  参数

 

 

 

Datasheets IRF3415PbF
Product Photos TO-220AB PKG
Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 43A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2400pF @ 25V
Power - Max 200W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1297 (US2011 PDF)
Other Names *IRF3415PBF

品牌/商标

VISHAY=IR

型号/规格

IRF3415PBF IRF3415

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SIT静电感应