*童N沟道功率场效应管 11N50 ** 现货

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS（导通）:  0.55 Ohms   
 
正向跨导 gFS（*大值/*小值） :  15 S   
 
汲*/源*击穿电压:  500 V   
 
闸/源击穿电压:  /- 30 V   
 
漏*连续电流:  11 A   
 
功率耗散:  195 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-220AB   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  50  
 
*件号别名:  FQP11N50CF_NL