专营*童*原装场效应管 F*11N60 11N60

地区:广东 深圳
认证:

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专营*童*原装场效应管 F*11N60  11N60

 

专营*童*原装场效应管 F*11N60  11N60

 

F*11N60  11N60产品规格  参数

 

数据列表 FCP11N60, F*11N60
 
产品相片 F*11N60
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品目录绘图 MOSFET TO-220F
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 11A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 5.5A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1490pF @ 25V
 
功率 - *大 36W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220F
 
包装 管件
 
产品目录页面 1608 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 F*11N60_NL
F*11N60_NL-ND
 

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

F*11N60 11N60

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SENSEFET电流敏感

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)