IR*原装场效应管/散新场效应管 IRFP26N60L

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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IR*原装场效应管/散新场效应管 IRFP26N60L

 

IR*原装场效应管/散新场效应管 IRFP26N60L

 

IRFP26N60L产品规格  参数

 

Datasheets IRFP26N60LPBF
Product Photos TO-247-3
Catalog Drawings IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
Standard Package 500
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5020pF @ 25V
Power - Max 470W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247-3
Packaging Tube
Catalog Page 1308 (US2011 Interactive)
1308 (US2011 PDF)
Other Names *IRFP26N60LPBF

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品牌

IR/国际整流器

型号

IRFP26N60L

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)