供应原装HGTG30N60B3 *童IGBT晶体管

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  600 V   
 
集电*—射*饱和电压:  1.45 V   
 
栅*/发射**大电压:  /- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  60 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  /- 250 nA   
 
功率耗散:  208 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-247   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
*件号别名:  HGTG30N60B3_NL 
 

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品牌

FAIRCHILD/*童

型号

HGTG30N60B3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

原厂规格(V)

夹断电压

原厂规格(V)

低频跨导

原厂规格(μS)

*间电容

原厂规格(pF)

低频噪声系数

原厂规格(dB)

漏*电流

原厂规格(mA)

耗散功率

原厂规格(mW)