原厂直销SEP品牌12N65 TO-220F 大芯片12A650V N沟道MOS场效应管

商品属性

品牌       SEP                    型号        12N65                    封装        TO-220F

批号       2023+               配置类型       MOSFET场效应管       FET类型   N沟道

漏源电压      650V          漏源电流        12A           漏源导通电阻        0.65Ω@10V

栅源电压       4V           栅极电荷       58工作温度范围  -55℃ to + 150℃

反向恢复时间   20    耗散功率（MAX）    55000mW

安装类型        直插           应用领域        家用电器、3C数码、照明电路、可穿戴设备

公司介绍

    深圳市威旺电子有限公司成立于2005年，专注于功率半导体元件的研发生产，在深圳拥有自己的芯片研发团队，公司主要产品有二、三极管、整流桥、MOS管、肖特基、快恢复、IGBT、芯片等；热销产品近万种，市场遍布100多个国家和地区，SEP致力成为全世界半导体闻名品牌。

    产品广泛应用于消费类、汽车电子、手机、光伏逆变、储能、电源、电脑、家电、充电器、仪器仪表、医疗设备、安防、无人机、轨道交通、IT等诸多邻域