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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装产品广泛应用于电源,通讯,汽车电子,医疗设备,节能灯,家电,等领域
产品技术参数
Attribute Value
通道类型 N
最大连续漏极电流 31 A
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 88 mΩ
最大栅阈值电压 3.7V
最大栅源电压 -30 V、+30 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 230 W
每片芯片元件数目 1
宽度 5.02mm
典型关断延迟时间 165 ns
典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V
最高工作温度 +150 °C
高度 20.95mm
系列 TK
长度 15.94mm
尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 70 ns
TK31N60W,S1VF(S
TOSHIBA(东芝)
TO-247
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
供应IKW40N120T2
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TIP127 ST 全新原装进口现货