供应原装东芝 TK31N60W,S1VF(S

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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装产品广泛应用于电源,通讯,汽车电子,医疗设备,节能灯,家电,等领域

产品技术参数

Attribute Value

通道类型 N

最大连续漏极电流 31 A

最大漏源电压 600 V

最大漏源电阻值 88 mΩ

最大栅阈值电压 3.7V

最大栅源电压 -30 V、+30 V

封装类型 TO-247

安装类型 通孔

晶体管配置 单

引脚数目 3

通道模式 增强

类别 功率 MOSFET

最大功率耗散 230 W

每片芯片元件数目 1

宽度 5.02mm

典型关断延迟时间 165 ns

典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V

最高工作温度 +150 °C

高度 20.95mm

系列 TK

长度 15.94mm

尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm

晶体管材料 Si

典型接通延迟时间 70 ns


TK31N60W,S1VF(S
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型号/规格

TK31N60W,S1VF(S

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

大功率