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IKW40N120T2t标准包装240IGBT 型Trench电压 - 集电极发射极击穿)
1200VVce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A- 集电极电流(Ic)()75A功率 -
480WInput 型Standard安装类型Through Hole包/盒TO-247-3供应商器件封装PG-TO247-3包装
材料Tube包装3TO-247配置Single集电极发射极电压1200 V连续集电极电流75 A
栅极发射极电压±20 V安装Through Hole标准包装Rail / TubeP( TOT
480W匹配代码IKW40N120T2I(C )75ATD (上)33nS单位包30标准的提前期22 weeks起订量30T( R)
28nS无铅DefinRoHS-conformTD (关闭)314nS技术TrenchStop汽车NOV( CE )1200VV( CESAT )
2.2VBodydiodeYES栅极电荷192nC电流 - 集电极( Ic)
75A安装类型Through Hole开关能量5.25mJ时间Td(开/关) @ 25°C33ns/314nsVce(开) (值)
Vge,Ic时2.2V @ 15V, 40A电压 - 集电极发射极击穿()1200V供应商设备封装PG-TO247-3
反向恢复时间(trr )258ns封装Tube功率 - 480W输入类型Standard封装/外壳TO-247-3IGBT类型Trench
测试条件600V, 40A, 12 Ohm, 15V电流 - 集电极脉冲( ICM )
160ARoHS指令Lead free / RoHS Compliant集电极 - 发射极饱和电压2.3 V产品种
类IGBT Transistors连续集电极电流Ic75 A系列IKW40N120集电极 - 发射极电压VCEO1200
V安装风格Through Hole工作温度- 40 C零件号别名IKW40N120T2FKSA1 SP000244962
工作温度+ 150 CRoHSRoHS CompliantassociatedBW50-2G
THFU 2
SKM40GD123D
IKW40N120T2系列产品
欢迎新老客户来订购。
IKW40N120T2
INFINEON(英飞凌)
TO-247
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
供应原装IPP030N10N3GXKSA1,描述: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
供应原装IRF640NPBF,IRF640NPBF特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):200V
供应IRS2158D原装,IRS2158DPBF品牌IR,IRS2158D封装DIP-16.
供应NCP1200P40 封装DIP-8 ,NCP1200P40 价格优势,NCP1200P40 原装现货
供应原装IRFB11N50APBF,IRFB11N50APBF 漏极至源极电压(VDSS) 500V
供应原装东芝 TK31N60W,S1VF(S
供应进口原装新年份芯片 IRFB7430PBF IRFB7430PBF封装TO-220
BSS131H6327 全新原装进口现货
供应 场效应管 SI4430BDY-T1-E3, 4430
DIODES/美台 MMDT4413-7-F 晶体管