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产品属性
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商品属性
品牌 SEP 型号 10N65 封装 TO-220F
批号 2023+ 配置类型 MOSFET场效应管 FET类型 N沟道
漏源电压 650V 漏源电流 10A 漏源导通电阻 0.81Ω@10V
栅源电压 4V 栅极电荷 60nC工作温度范围 -55℃ to + 150℃
反向恢复时间 600ns 耗散功率(MAX) 125000mW
安装类型 直插 应用领域 家用电器、3C数码、照明电路、可穿戴设备
公司介绍
深圳市威旺电子有限公司成立于2005年,专注于功率半导体元件的研发生产,在深圳拥有自己的芯片研发团队,公司主要产品有二、三极管、整流桥、MOS管、肖特基、快恢复、IGBT、芯片等;热销产品近万种,市场遍布100多个国家和地区,SEP致力成为全世界半导体闻名品牌。
产品广泛应用于消费类、汽车电子、手机、光伏逆变、储能、电源、电脑、家电、充电器、仪器仪表、医疗设备、安防、无人机、轨道交通、IT等诸多邻域
10N65
SEP
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
原厂直销SEP品牌4N65 N沟道场效应MOS管4A650V 4N65贴片TO-252
原厂直销SEP品牌4N65 N沟道场效应MOS管4A650V 4N65 TO-220F塑封
原厂直销SEP品牌12N65 TO-220F 大芯片12A650V N沟道MOS场效应管
CSD17577Q5A场效应晶体管IC原装
FDS6572A-NL采购 FDS6572A-NL供应商
IRFR024NTRPBF IR 全新原装进口现货
供应进口原装新年份芯片 IRFB7430PBF IRFB7430PBF封装TO-220
供应 场效应管 IPS09N03LAG
KA7909 to220 全新原装进口现货
DIODES/美台 FMMT491ATA 晶体管