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IRFR024NTRPBF IR 全新原装进口现货
产品目录绘图:IR Hexfet DPak
标准包装:1
系列:HEXFET®
;FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:370pF @ 25V
功率 - 最大:45W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:剪切带 (CT)
产品目录页面:1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称:*IRFR024NTRPBFIRFR024NPBFCT
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IRFR024NTRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
超大功率