*供应SI2303DS SI2303BDS-T1-E3原装

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Vishay   
 
RoHS:  否  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  P-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.24 Ohms   
 
汲*/源*击穿电压:  - 30 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 20 V   
 
漏*连续电流:  - 1.7 A   
 
功率耗散:  1.25 W   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  SOT-23 (TO-236)   
 
封装:  Reel   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  3000  
 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

SI2303DS SI2303BDS-T1-E3

材料

ALGaAS铝镓砷

用途

MOS-HBM/半桥组件

品牌/商标

Vishay/威世通

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型