*供应SI2303DS SI2303BDS-T1-E3原装
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商: Vishay
RoHS: 否
配置: Single
晶体管*性: P-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.24 Ohms
汲*/源*击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏*连续电流: - 1.7 A
功率耗散: 1.25 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23 (TO-236)
封装: Reel
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 3000
CER-DIP/陶瓷直插
SI2303DS SI2303BDS-T1-E3
ALGaAS铝镓砷
MOS-HBM/半桥组件
Vishay/威世通
N沟道
结型(JFET)
耗尽型