TOSHIBA东芝*原装MOS场效应管 2SK3562 K3562

地区:广东 深圳
认证:

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TOSHIBA东芝*原装MOS场效应管  2SK3562  K3562

TOSHIBA东芝*原装MOS场效应管  2SK3562  K3562

 

2SK3562  K3562产品规格  参数

 

Datasheets 2SK3562
Mosfets Prod Guide
Product Photos 2SK3562(Q)
Catalog Drawings TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1050pF @ 25V
Power - Max 40W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220SIS
Packaging Tube
Catalog Page 1439 (US2011 Interactive)
1439 (US2011 PDF)
Other Names 2SK3562Q

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

2SK3562 K3562

材料

*肖特基势垒栅

用途

MOS-FBM/全桥组件

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

P沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型