IR*原装场效应管 IRF840APBF IRF840A

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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IR*原装正品场效应管 IRF840APBF  IRF840A

 

IR*原装正品场效应管 IRF840APBF  IRF840A

 

IRF840APBF  IRF840A产品规格  参数

 

Datasheets IRF840APBF
Packaging Information
Product Photos TO-220AB
Catalog Drawings IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1018pF @ 25V
Power - Max 125W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1307 (US2011 Interactive)
1307 (US2011 PDF)
Other Names *IRF840APBF

品牌

IR/国际整流器

型号

IRF840APBF IRF840A

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)