结型场效应管 上海贝臣电子有限公司
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产品属性
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•导通电阻:RDS(on) max=200mΩ
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
•封装形式:TO-263
•VDS=100V
•ID=9.7A
•Trr=150ns
IR/国际整流器
IRF520NS
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
4(V)
2700(μS)
330(pF)
9700(mA)
48000(mW)
恒泰柯功率MOSFET
mosfet场效应管
mosfet型号
低压mosfet
IR 原装MOS——IRFR220N
IR 原装功率MOS——IRFU4620PBF
IR 原装功率MOS——IRF640NS
IR 原装音频MOS——IRFS5620PBF
IR 原装开关电源MOS——IRFS31N20D
IR 原装功率MOS——IRFP140N
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