IR 原装MOS——IRFR220N

地区:上海
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结型场效应管 上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻:RDS(on) max=600mΩ

 •工作温度范围:-55 ~ 175°C

 •封装形式:TO-252

 •VDS=200V

 •ID=5A

 •Trr=140ns

 

 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR220N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

4(V)

跨导

2600(μS)

*间电容

300(pF)

漏*电流

5000(mA)

耗散功率

43000(mW)