产品详情

IR 原装功率MOS——IRF640NS

地区：上海
认证： 无

结型场效应管 上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) max=150mΩ

 •工作温度范围：-55 ~ 175°C

 •封装形式：TO-263

 •VDS=200V

 •ID=18A

 •Trr=251ns

 

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF640NS

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

4（V）

夹断电压

20（V）

跨导

6800（μS）

*间电容

1160（pF）

漏*电流

18000（mA）

耗散功率

150000（mW）