*现货供应 MOS晶体管BSS123

地区:广东 东莞
认证:

结型场效应管 东莞市讯微电子有限公司

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技术/目录信息BSS123-7-F
销售商Diodes Inc (VA)
分类分离式半导体产品
安装类型表面贴装
FET 型N 沟道
漏*至源*电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C170mA
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C在 170mA、10V 时为 6 欧姆
输入电容(Ciss) @ Vds1730pF @ 25V
功率 - *大300mW
包装剪切带 (*)
闸电荷(Qg) @ Vgs-
封装/外壳SOT-23
无铅状态Lead Free
ROHS状态RoHS Compliant
其它名称BSS123 7 F
BSS1237F
BSS123 FDI* ND
BSS123FDI*ND
BSS123-FDI*
品牌/商标

PHILIPS/Fairchild/长电

型号/规格

BSS123

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

20(V)

夹断电压

2(V)

*间电容

0.2(pF)

低频噪声系数

30(dB)

漏*电流

2(mA)

耗散功率

3(mW)