*现货供应MOS管IRF3205S

RF3205 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF3205 参数 IRF3205 基本参数 VDSS   55 V ID@25℃   98 A RDS(on)Max   8.0 mΩ IRF3205 其他特性 FET*性   N型沟道 Qg T*   97.3 nC IRF3205 封装与引脚 TO-220AB, TO-263, TO-262

 

IRF3205 特性

• *的工艺技术
• 贴片安装（IRF3205S）
• 低端通孔安装（IRF3205L）
• *导通阻*
• 动态dv/dt率
• 175℃工作温度
• 快速转换速率
• 无铅*

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