*现货供应 N沟道场效应管FDN337N
地区:广东 东莞
认证:
无
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产品属性
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技术/目录信息 | FDN337N |
销售商 | Fairchild Semiconductor (VA) |
分类 | 分离式半导体产品 |
安装类型 | 表面贴装 |
FET 型 | N 沟道 |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 2.2A |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 在 2.2A、4.5V 时为 65 毫欧 |
输入电容(Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
功率 - *大 | 500mW |
包装 | 剪切带 (*) |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
封装/外壳 | SSOT-3 |
无铅状态 | Lead Free |
ROHS状态 | RoHS Compliant |
其它名称 | FDN337N FDN337N FDN337N* ND FDN337N*ND FDN337N* |
FAIRCHILD/*童
FDN337N SOT-23
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
CHOP/斩波、限幅
SMD(SO)/表面封装
5(V)
2(V)
10(μS)
1(pF)
20(dB)
2(mA)
3(mW)