原装VISHAY SUM90N06-4M4P-E3

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区茂亨电子经营部

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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 60
V
Gate-Source Voltage VGS &plu*n; 20
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)
TC = 25 °C
ID
90d
A
TC = 70 °C 90d
Pulsed Drain Current IDM 240
Avalanche Current IAS 70
Single Avalanche Energya L = 0.1 mH EAS 245 mJ
Maximum Power Dissipationa
TC = 25 °C
PD
300b
W
TA = 25 °Cc 3.75
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg - 55 to 175 °C
THERMAL R*ISTANCE RATINGS
Parameter Symbol Limit Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)c RthJA 40
°C/W
Junction-to-Case (Drain) RthJC 0.5
RoHS
COMPLIANT

品牌

Vishay/威世通

型号

SUM90N06-4M4P-E3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)