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FDD6688

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市澜腾达科技有限公司

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N-MOS，VDS=30V，ID=70A(Tc=100℃), TO-252,

    RDS(ON) < 5mΩ @VGS = 10V, ID = 30A;
    RDS(ON) < 6mΩ @VGS = 4.5V, ID = 24A;

"
品牌

LT/凌特

型号

FDD6688

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1~3（V）

夹断电压

30（V）

跨导

（μS）

*间电容

2390（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

84000（mA）

耗散功率

2500（mW）