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FDD5612 TO-252

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市澜腾达科技有限公司

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VDS=60V, ID=18A, TO-252,

    RDS(ON) < 55mΩ @VGS = 10V, ID = 10A;

    RDS(ON) < 75mΩ @VGS = 4.5V, ID = 8A;

品牌

LT/凌特

型号

FDD5612 TO-252

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1~2.5（V）

夹断电压

60（V）

跨导

（μS）

*间电容

560（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

22000（mA）

耗散功率

2500（mW）