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VDS=100V, ID=40A(TC=100℃), TO-263 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A; RDS(ON) < 125mΩ @ VGS=4.5V, ID= 20A.
LT/凌特
IRFS59N10D TO-263
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
1.5~4(V)
100(V)
(μS)
4900(pF)
1(dB)
55000(mA)
3000(mW)
mosfet型号
低压mosfet
mosfet场效应管
恒泰柯功率MOSFET
LT IRLB/S4030PBF
FDD5612 TO-252
IRFP4321 TO-247
SI4946GM(AP9971GM) SOP-8
NTD4813N TO-252
IRF7105 SOP-8 (N+P)
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