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FQP55N10 TO-220AB & FQB55N10 TO-263

地区：广东 深圳
认证： 无

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N-MOSFET, VDS=100V, ID=36A(TC=100℃), TO-220AB & TO-263

RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A;

 

品牌

LT/凌特

型号

FQP55N10 TO-220AB & FQB55N10 TO-263

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1.5~4（V）

夹断电压

100（V）

跨导

（μS）

*间电容

4900（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

55000（mA）

耗散功率

3000（mW）