IRFB3207PBF
地区：上海
认证：
无
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产品属性
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| Parameter | Value |
| Package | TO-220AB |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 75 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 4.5 |
| ID @ TC = 25C (A) | 180 |
| ID @ TC = 100C (A) | 130 |
| Qg T* (nC) | 180.0 |
| Qgd T* (nC) | 68.0 |
| Rth(JC) (K/W) | 0.45 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 330 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF and Leaded |
| Package Cl* Can | Thru-Hole |
IR/国际整流器
IRFB3207PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
10（V）
NA（V）
NA（μS）
nA（pF）
NA（dB）
NA（mA）
NA（mW）
