IXTH21N50
地区：上海
认证：
无
图文详情
产品属性
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| Product Detail |
| Part Num: | IXTH21N50 | ||
| Description: | POWER DEVIC* > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Standard Power MOSFETs > High Voltage Power MOSFETs (>1200V) | ||
| Configuration: | Single | ||
| Package Style: | TO-247 | ||
| Status: | Not for New Designs: Contact the factory for lead times (part is still available for purchase). | ||
| Support Docs: |
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Recommended Alternatives Competing Parts IXYS/艾赛斯
型号/规格IXTH21N50
种类*缘栅(MOSFET)
沟道类型N沟道
导电方式耗尽型
封装外形CER-DIP/陶瓷直插
材料N-FET硅N沟道
开启电压10（V）
夹断电压na（V）
跨导na（μS）
*间电容na（pF）
低频噪声系数na（dB）
漏*电流n a（mA）
耗散功率na（mW）
