IXTH21N50

地区:上海
认证:

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Product Detail
Part Num:IXTH21N50
Description:POWER DEVIC* > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Standard Power MOSFETs > High Voltage Power MOSFETs (>1200V)
Configuration:Single
Package Style:  TO-247
Status:Not for New Designs: Contact the factory for lead times (part is still available for purchase).
Support Docs:
DataSheet
PSpice Model: IXTH21N50.zip

 

 
Parameter
品牌/商标

IXYS/艾赛斯

型号/规格

IXTH21N50

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

10(V)

夹断电压

na(V)

跨导

na(μS)

*间电容

na(pF)

低频噪声系数

na(dB)

漏*电流

n a(mA)

耗散功率

na(mW)