IXFT30N50P
地区：上海
认证：
无
图文详情
产品属性
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| Product Detail |
| Part Num: | IXFT30N50P | |
| Description: | POWER DEVIC* > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Power MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode (HiPerFETs) > Polar™ HiPerFETs (500V to 1200V) with reduced Rds(on) | |
| Configuration: | Single | |
| Package Style: | TO-268 | |
| Status: | Active Part | |
| Support Docs: |
|
IXYS/艾赛斯
型号IXFT30N50P
种类*缘栅(MOSFET)
沟道类型N沟道
导电方式增强型
用途MOS-HBM/半桥组件
封装外形CER-DIP/陶瓷直插
材料N-FET硅N沟道
开启电压na（V）
夹断电压na（V）
跨导na（μS）
*间电容na（pF）
低频噪声系数na（dB）
漏*电流na（mA）
耗散功率na（mW）
