场效应管 2SK2925 / 2SK2925S / K2925 / 2SK2925STR
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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2SK2925中文资料：
制造商 | Renesas Technology Corp |
制造商*件编号 | 2SK2925S |
描述 | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | QFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 0.16欧 @ 5A, 4V |
漏*至源*电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 10A |
Id时的 Vgs(off)（*大） | 2.5V @ 1000µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 10V |
功率 - *大 | 20W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), TO-252AB |
供应商设备封装 | DPAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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RTC法德无线电
2SK2925
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2.5（V）
350（pF）
10,000（mA）
20,000（mW）
