场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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SUB85N03-04P中文资料：
制造商 | Vishay Siliconix |
制造商*件编号 | SUB85N03-04P |
描述 | MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3毫欧@ 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id) @ 25° C | 85A |
Id时的Vgs(th)（*大） | 2V @ 250mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 90nC |
在Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
功率-*大 | 3.75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷(TR) |
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Vishay Siliconix
SUB85N03-04P
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2（V）
4500（pF）
85,000（mA）
3.750（mW）
