场效应管 NTD4302T4G / NTD4302 / T4302 / T4302
地区：广东 深圳
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NTD4302T4G中文资料：
制造商 | ON Semiconductor |
制造商*件编号 | NTD4302T4G |
描述 | MOSFET N-CH 30V 5.3A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10毫欧@ 20A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id) @ 25° C | 8.4A |
Id时的Vgs(th)（*大） | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
在Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 24V |
功率-*大 | 1.04W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
包装 | 带卷(TR) |
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"0N/安森美
NTD4302T4G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
3（V）
840（pF）
5,300（mA）
1,040（mW）
