场效应管 SPB20N60C2 / SPB20N60C3 / 20N60 / SPB20N60
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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SPB20N60C2中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | SPB20N60C2 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20A TO-263AB |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | CoolMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190毫欧 @ 13A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 20A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 5.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 103nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
功率 - *大 | 208W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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INFINEON/英飞凌
SPB20N60C2
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
5.5（V）
3000（pF）
20,000（mA）
208,000（mW）
