场效应管 STD2NM60 / STD2NM60T4 / 2NM60 / 2N60 / D2NM60
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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STD2NM60中文资料：
制造商 | STMicroelectronics |
制造商*件编号 | STD2NM60T4 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | MDmesh™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.2欧姆 @ 1A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 2A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
功率 - *大 | 46W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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ST/意法
STD2NM60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
5（V）
160（pF）
2.000（mA）
46,000（mW）
