场效应管 IRL3705NS / L3705NS / IRL3705N

地区:广东 深圳
认证:

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IRL3705NS中文资料:

制造商

International Rectifier

制造商*件编号

IRL3705NSTRLPBF

描述

MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

10毫欧 @ 46A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

55V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

89A

Id时的 Vgs(th)(*大)

2V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

98nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

3600pF @ 25V

功率 - *大

3.8W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:










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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRL3705NSTRLPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2(V)

*间电容

3600(pF)

漏*电流

89,000(mA)

耗散功率

3,800(mW)