场效应管 SUD35N05-26L / 35N05 / SUD35N05
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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SUD35N05-26L中文资料：
制造商 | Vishay/Siliconix |
制造商*件编号 | SUD35N05-26L-E3 |
描述 | MOSFET N-CH D-S 55V TO252 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TrenchFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20毫欧 @ 20A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | - |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 885pF @ 25V |
功率 - *大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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Vishay/Siliconix
SUD35N05-26L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
1（V）
885（pF）
50,000（mW）
