场效应管 FQD13N06 / FQD13N06LTM / FQD13N06L / 13N06
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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FQD13N06中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商*件编号 | FQD13N06LTM |
描述 | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | QFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 115毫欧 @ 5.5A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 11A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
功率 - *大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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FAIRCHILD/*童
FQD13N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2.5（V）
350（pF）
11,000（mA）
2,500（mW）
