场效应管 BTS282Z / BTS282ZE3180A
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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BTS282Z中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | BTS282Z E3180A |
描述 | MOSFET N-CH 49V 80A TO-263-7 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TEMPFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5毫欧 @ 36A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 49V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 80A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 2V @ 240µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 232nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
功率 - *大 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-8, D²Pak (7引线 接片), TO-263CA |
供应商设备封装 | PG-TO263-7 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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INFINEON/英飞凌
BTS282Z
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2（V）
4800（pF）
80,000（mA）
300,000（mW）
