东芝代理,原装现货供应,2SK4108

地区:上海
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部件型号2SK4108 
*性N沟 
漏源电压VDSS500 V 
漏电流ID20 A 
漏功耗PD150 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)62 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.27 Ω 
封装TO-*(N) 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 
装配基础日本, 泰国
RoHS Compatible Product(s) (#)
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK4108

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)