东芝代理,原装现货供应,TK12A60U

地区:上海
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部件型号TK12A60U 
*性N沟 
漏源电压VDSS600 V 
漏电流ID12 A 
漏功耗PD35 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)14 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.4 Ω 
封装TO-220SIS 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 
装配基础日本, 马来西亚
RoHS Compatible Product(s) (#)
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

TK12A60U

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

GEP/互补类型

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)