东芝代理,原装现货供应,2SK3568

地区:上海
认证:

上海琼创电子科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
部件型号2SK3568 
*性N沟 
漏源电压VDSS500 V 
漏电流ID12 A 
漏功耗PD40 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)42 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.52 Ω 
封装TO-220SIS 
产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 
装配基础日本, 马来西亚
RoHS Compatible Product(s) (#)
品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

2SK3568

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)